<![CDATA[<cite id="cqoxc"></cite>]]>
|
<![CDATA[<sub id="cqoxc"><p id="cqoxc"></p></sub>]]>
| |
|
| | | | |
| |
新潔能MOS管，型號(hào)NCE3407AY的參數(shù)和簡(jiǎn)介
新潔能型號(hào)NCE3407AY是一款高性能的MOS管，具有出色的開關(guān)性能、低導(dǎo)通損耗和高牢靠性等特性。下面將細(xì)致引見該管的參數(shù)和簡(jiǎn)介。參數(shù)：最大工作電壓（Vdss）：該管的最高工作電壓為600V，能夠接受較高的電壓，適用于高電壓的應(yīng)用場(chǎng)所。最大連續(xù)漏極電流（Id）：在最大工作電壓下，該管的連續(xù)漏極電流最大可到達(dá)40A，具有較強(qiáng)的電流承載才能。導(dǎo)通損耗（Po）：該管的導(dǎo)通損耗較低，最大僅為1.9W，能……
強(qiáng)茂肖特基二極管原理
強(qiáng)茂二極管包括肖特基二極管它是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形……
低壓MOS管如何設(shè)計(jì)才能起到保護(hù)作用
低壓MOS管作為一種新型的功率器件，具有開關(guān)速度快，內(nèi)阻低損耗小等優(yōu)點(diǎn)，但是如果使用不當(dāng)也容易損 壞。低壓MOS管損壞的原因主要有過壓，過流，短路，靜電，過熱，機(jī)械損壞等。 一．過壓 低壓MOS管的過壓主要分為柵源及過壓和漏源及過壓。 1. 柵源及及過壓 低壓MOS管 的柵源及之間允許的電壓（VGSS）都有一個(gè)限制，業(yè)界的一般是±12V(低壓 MOS)~±20V(中 壓大電流 MOS/高壓 MOS……
深愛半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)及電子元器件的解析
深愛半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)：1. 二極管只有一個(gè)PN結(jié),2.三極管有兩個(gè)PN結(jié),相當(dāng)于兩個(gè)二極管背對(duì)背合成一個(gè).就是(PNP/NPN)基極,發(fā)射極,集電極) 3.場(chǎng)效應(yīng)管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),與三極管工作原理有點(diǎn)相同,看一下三極管3大放大電路基本差不多(N溝道與P溝道)三個(gè)腳就是源極,漏及,柵極(相當(dāng)于三極管的,集電極,發(fā)射極,基極) 4.晶閘管就是一個(gè)開關(guān),控制電路的導(dǎo)通,與場(chǎng)效應(yīng)管有點(diǎn)相同,但工作原理不……
MOS管能影響電動(dòng)汽車的充電器能不能恒壓和恒流
為了可持續(xù)發(fā)展，人 類在技術(shù)革新上不斷地探索代替石油的能源，在交通工具上，目前電能則有代替汽 油的趨勢(shì)，很多電動(dòng)汽車已經(jīng)投入使用，但是約束電動(dòng)汽車的主要因素之一就是充電速度，而充電器作為電流轉(zhuǎn)換設(shè)備，它的性能和質(zhì)量將影響到充電的速度，所以在設(shè)計(jì)充電器電路的時(shí)候需要采用優(yōu)質(zhì)的MOS管，控制好柵極電壓。電動(dòng)汽車的充電器不能恒壓和恒流，原因可能跟MOS管有關(guān)MOS管在電動(dòng)汽車充電器里面充當(dāng)可變電阻的作用……
NCE低壓MOS管的用途
NCE低壓MOS管，即低壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的重要元件。它以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，成為現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展的重要支撐。本文將對(duì)NCE低壓MOS管的用途進(jìn)行詳細(xì)的探討。首先，我們來了解一下NCE低壓MOS管的基本特點(diǎn)。NCE低壓MOS管具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗、快速開關(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn)，這使得它在許多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。在電源管理領(lǐng)域……
低壓MOS管有肖特基接觸嘛
在電子工程中，低壓MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和肖特基接觸（Schottky contact）是兩個(gè)重要的概念。它們各自在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和性能中扮演著關(guān)鍵角色。那么，低壓MOS管是否具有肖特基接觸呢？這個(gè)問題涉及到MOS管的工作原理和肖特基接觸的特性，下面我們將詳細(xì)探討這個(gè)問題。首先，讓我們回顧一下低壓MOS管的基本原理。MOS管是一種通過電壓控制電流的半導(dǎo)體器件，其核心結(jié)構(gòu)包括源極、……
強(qiáng)茂肖特基二極管的作用
接下來深圳市聯(lián)冀電子有限公司小編來給你們?cè)敿?xì)介紹一下.... 強(qiáng)茂肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管……
聯(lián)冀講述電子元器件的發(fā)展情況
電子元器件是電子元件和電小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，如電容、晶體管、游絲、發(fā)條等子器件的總稱。 電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類……
聯(lián)冀講述第三代半導(dǎo)體發(fā)展史
第三代寬禁帶半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化鎵、)AlN(氮化鋁)、ZnSe(硒化鋅)以及金剛石等。發(fā)展較好的寬禁帶半導(dǎo)體主要是SiC和GaN，其中SiC的發(fā)展更早一些，碳化硅SiC、氮化鎵GaN……
教你計(jì)算輸入電容及DCM、CCM、QR變壓器
技術(shù)要求：輸入電壓Vin：90-253Vac輸出電壓Vo：27.6V輸出電流Io：6A輸出功率Po：166W效率η：0.85輸入功率Pin：195W輸入濾波電容計(jì)算過程：上圖為整流后濾波電容上電壓波形，在zui低輸入電壓下，如果我們想在濾波電容上得到的電壓Vdc為115V，則從上圖可以得到:Vpk=90*1.414=127VVmin=Vdc-(Vpk-Vdc)=103V將電源模塊等效為一個(gè)電阻負(fù)載……
聯(lián)冀解析同步整流的工作原理及應(yīng)用技術(shù)
同步整流工作原理:整流管VT3和續(xù)流管VT2的驅(qū)動(dòng)電壓從變壓器的副邊繞組取出，加在MOS管的柵G和漏D之間，如果在獨(dú)立的電路中MOS管這樣應(yīng)用不能完泉開通，損耗很大，但用在同步整流時(shí)是可行的簡(jiǎn)化方案。由于這兩個(gè)管子開關(guān)狀態(tài)互瑣，一個(gè)管子開，另一個(gè)管子關(guān)，所以我們只簡(jiǎn)要分析電感電流連續(xù)時(shí)的開通情況，我們知道MOS管具有體內(nèi)寄生的反并聯(lián)二極管，這樣電感電流連續(xù)應(yīng)用時(shí)，MOS管在真正開通之前并聯(lián)的二極管……
